慧智微今日正式登陆资本市场，在上交所科创板上市（股票简称为“慧智微”，股票代码为“688512”），IDG资本陪伴其成长。慧智微成立于2011年8月，公司是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司，主营业务为射频前端芯片及模组的研发、设计和销售。公司具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力，技术体系以功率放大器（PA）的设计能力为核心，兼具低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、集成无源器件滤波器（IPD Filter）等射频器件的设计能力，产品系列覆盖的通信频段需求包括 2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕频段、3GHz~6GHz的5G新频段等，可为客户提供无线通信射频前端发射模组、接收模组等。作为国产射频黑马，慧智微的产品目前已经应用于三星、OPPO、vivo、荣耀等国内外智能手机品牌机型，并进入闻泰科技、华勤通讯等一线移动终端设备ODM厂商和移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商。招股书也显示，慧智微的主营业务毛利主要来自于4G和5G模组产品。公司自成立以来，一直专注于射频前端芯片领域，提出可重构射频前端平台，采用基于“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”两种材料体系的可重构射频前端技术路线。其中 SOI 和 GaAs 的 SiP 架构的可重构射频前端芯片技术处于国际领先水平。继绝缘硅在低噪声放大器、射频开关等器件成为市场主流材料后，公司将绝缘硅引入到功率放大器领域并成功商用，掌握高频模拟信号智能调控的实现路径，形成了自主的可重构射频前端架构，并将其拓展到 LNA、IPD 滤波器等领域。公司凭借底层技术架构创新突破国际巨头的专利壁垒，提升性能，优化成本，基于自研架构带来的高集成度优势还顺应了 5G 射频前端的发展趋势，为公司的技术升级和产品迭代奠定坚实的基础。IDG资本认为，慧智微所在的射频前端芯片市场很大，有较高技术壁垒, 而且有非常确定的全面国产替代趋势，存量替代市场的增长速度很快。而慧智微通过多年努力，占据了国产行业头部的地位，创始⼈在行业有丰富经验，核心研发团队平均从业年限超过15年，技术范围覆盖芯片设计能力和集成化模组设计能力等方面，有很强的战斗力。
放眼未来，公司将不断引领射频创新，为全球客户提供满意的射频解决方案，共同构建更加智能的未来世界。
IDG资本始终对先进制造领域高度关注。从2003年至今，IDG资本先后在芯片设计、半导体设备、传感器、集成电路等多个领域布局投资了10余个细分行业的头部项目，并有超过半数企业已经或即将上市，通过资本和政策相结合，逐渐形成了产业集群效应。在芯片设计领域，IDG资本在2005年早期投资了业内领先的电视与机顶盒集成芯片公司晶晨半导体及中国唯一的集成电路IP授权公司芯原微电子；2007年，IDG资本又投资了全球领先的通信芯片公司RDA。近年来，IDG资本在瞄准了国际领先的智能音频SoC芯片设计企业恒玄科技，参与pre-A轮投资；此外，还投资了中国基带公司中除海思外唯一拥有全网通技术的公司翱捷科技等。上述被投企业中，晶晨半导体、芯原微电子、恒玄科技等已先后在科创板上市。IDG资本支持的部分芯片半导体企业
未来，IDG资本将继续发现、陪伴更多优秀硬科技企业发展，为芯片、半导体等领域发展做出贡献。
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